본 발명은 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, P-GaN층 상부에 N+ 질화물 반도체층을 형성하고, 상기 N+ 질화물 반도체층 상부에 오믹 컨택용 및 반사용 전극을 형성하고, 사파이어 기판을 제거함으로써, 발광 다이오드의 광전 특성을 향상시키고, 발광 다이오드를 열전도율이 우수한 전도성 기판에 접합시킴으로써, 소자의 열특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 발광, 다이오드, 솔더, 오믹, 반사, 사파이어