본 발명은 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 환형 실록산 화합물과 반응성기가 4개 있는 실란계 화합물, 또는 여기에 반응성기가 1개 이상인 실란 화합물 및/또는 케이지형 실록산 화합물을 부가하여 유기용매 중에서 촉매와 물의 존재하에 가수분해 및 축합중합시켜 제조한 실록산계 수지, 및 상기 수지를 반도체의 저유전 절연막으로 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 층간 절연막의 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 실록산계 수지를 이용하면 고집적도 반도체 제조시 기계적 물성 및 열안정성이 우수하고 저유전율인 절연막을 용이하게 형성할 수 있다. 실록산계 수지, 케이지형 실록산 화합물, 환형 실록산 화합물, 실란 화합물, 반도체, 절연막, 저유전율