강유전체 커패시터 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 반도체 기판 상에 형성된 트랜지스터와 연결되는 도전막 상에 하부전극, 강유전체막 및 상부전극이 순차적으로 구비되어 있고, 상기 도전막은 상기 트랜지스터를 덮는 층간 절연막으로 둘러싸인 반도체 장치의 강유전체 커패시터에 있어서, 상기 도전막은 상기 층간 절연막 상으로도 형성되어 있고, 이러한 도전막과 상기 하부전극사이에 산화 방지막이 구비되어 있고, 상기 산화 방지막은 CoSi 2 막 및 TiSiN막 중 어느 하나이며, 상기 도전막은 도전성 다결정 실리콘막 및 텅스텐막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 강유전체 커패시터 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 도전성 플러그인 도전막과 하부전극 경계면의 산화 저항성이 증가되기 때문에 강유전체 박막의 형성 온도를 높일 수 있고, 그 결과 특성이 우수한 강유전체 박막을 형성할 수 있다.