본 발명은 산화티탄으로 코팅된 산화물 반도체 입자의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화물 반도체 입자를 형성시키는 1 단계와 1 단계에서 형성된 입자를 티탄화합물 용액에 분산시키면서 특정한 파장을 가지는 빛을 조사하여 입자의 표면에 산화티탄 박막을 코팅시키는 2 단계 및 상기 2 단계에서 코팅된 입자를 일정한 방법으로 처리하여 안정화시키는 3 단계로 입자를 제조함으로써 기존에 자외선 조사로서 광촉매능을 나타내던 광촉매와 달리 자외선보다 긴 파장을 가지는 가시광선에 의해서도 우수한 광촉매 특성을 나타내는 산화티탄으로 코팅된 산화물 반도체 입자의 제조방법에 관한 것이다. 산화물 반도체, 산화티탄 박막, 광촉매, 코팅