본 발명은 반도체 소자 시뮬레이션을 위한 초기해 생성 방법에 관한 것이다. 반도체 소자 시뮬레이션을 위한 초기해 생성 방법은, (a) 시뮬레이션하고자 하는 3차원 반도체 소자에 대한 1차원 채널 방향 및 2차원 단면들을 설정하는 단계; (b) 상기 2차원 단면들에 대하여 전하량-게이트 전압 모델을 설정하는 단계; (c) 1차원 방향에 따른 전자/정공 연속방정식을 수치 해석적으로 풀어, 1차원 방향에 따른 2차원 단면들에서의 전하량 및 유사 페르미 준위를 검출하는 단계; (d) 상기 전하량-게이트 전압 모델에 상기 검출된 각 2차원 단면의 전하량 및 유사 페르미 준위를 적용하여, 각 2차원 단면의 각 위치에 대한 전위 및/또는 전자/정공 농도를 계산하는 단계;를 구비하여, 반도체 소자의 3차원 공간의 각 위치들에 대하여 사전 설정된 물리량을 반도체 소자 시뮬레이션을 위한 초기해로 제공한다. 따라서, 본 발명에 따른 초기해는 반도체 소자 시뮬레이션의 속도를 가속화시킬 수 있게 된다.