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2011
화학기상 증착법을 이용하여 제조된 텅스텐 산화막의 전기변색 소자 응용 연구
Preparation of WO_3 Films by CVD and their Application in Electrochromic Devices
한국화학공학회
김도형 외 2명
논문정보
- Publisher
- Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK)
- Issue Date
- 2011-08-01
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 49
- Number
- 4
- Start Page
- 405
- End Page
- 410
- DOI
- ISSN
- 0304128X
Abstract
본 연구에서는 화학 증착법을 이용하여 텅스텐 산화물을 제조한 후 기판 온도에 따른 성막 특성을 분석하고, 성막된 텅스텐 산화물을 전기 변색 소자 제조에 응용하여 소자 특성을 살펴보았다. 증착 온도 300 ℃ 이상에서 최대 성막속도(8 μm/min)를 얻을 수 있었으며, 275 ℃ 이하에서는 표면 반응 율속 특성을 보였고 이때 겉보기 활성화 에너지 값은 45.9 kJ/mol이였다. 성막 된 텅스텐 산화물은 275 ℃ 이하에서는 비정질막이, 그 이상 온도에서는 결정질 막이 형성되었다. 전기 변색 소자 적용시 유리한 비정질막이 성막되는 조건에서 증착 온도 및 두께 변화에 따른 전기 변색 특성을 평가하였다. 증착 온도가 동일한 경우 두께가 두꺼울수록 그리고 두께가 일정한 경우는 증착 온도가 낮을수록 변색 효율 측면에서 유리한 결과를 얻었다.
- 전남대학교
- KCI
- Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK)
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 김도형 | 화학공학부 |