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2011
화학기상 증착법을 이용하여 제조된 텅스텐 산화막의 전기변색 소자 응용 연구 Preparation of WO_3 Films by CVD and their Application in Electrochromic Devices
한국화학공학회
김도형 외 2명
논문정보
Publisher
Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK)
Issue Date
2011-08-01
Keywords
-
Citation
-
Source
-
Journal Title
-
Volume
49
Number
4
Start Page
405
End Page
410
DOI
ISSN
0304128X
Abstract
본 연구에서는 화학 증착법을 이용하여 텅스텐 산화물을 제조한 후 기판 온도에 따른 성막 특성을 분석하고, 성막된 텅스텐 산화물을 전기 변색 소자 제조에 응용하여 소자 특성을 살펴보았다. 증착 온도 300 ℃ 이상에서 최대 성막속도(8 μm/min)를 얻을 수 있었으며, 275 ℃ 이하에서는 표면 반응 율속 특성을 보였고 이때 겉보기 활성화 에너지 값은 45.9 kJ/mol이였다. 성막 된 텅스텐 산화물은 275 ℃ 이하에서는 비정질막이, 그 이상 온도에서는 결정질 막이 형성되었다. 전기 변색 소자 적용시 유리한 비정질막이 성막되는 조건에서 증착 온도 및 두께 변화에 따른 전기 변색 특성을 평가하였다. 증착 온도가 동일한 경우 두께가 두꺼울수록 그리고 두께가 일정한 경우는 증착 온도가 낮을수록 변색 효율 측면에서 유리한 결과를 얻었다.

저자 정보

이름 소속
김도형 화학공학부