양극산화알루미늄 (Anodic Aluminum Oxide, AAO) 공정은 나노패턴의 밀도의 크기를 쉽게 조절할 수 있으며, 반도체 기판 위에 용이하게 생성할 수 있다는 장점으로 인해 활발하게 연구되고 있다. AAO를 이용하여 50-500 nm 주기의 다공성 패턴을 쉽게 구현할 수 있지만, 이를 양자점 제작의 주형 (template)으로 사용하기 위해서는 더 작은 주기의 패턴이 요구된다. 본 실험에서는 고밀도 양자점 제작을 위해 10$^{11}$/cm$^2$ 이상의 패턴밀도를 갖는 정렬된 나노구조를 제작하고자 하였다. 이를 위해 다양한 배합의 H$_2$SO$_4$, H$_3$PO$_4$, CrO$_3$ 혼합전해액에서 AAO를 제작하고, 주기 및 정렬도의 변화를 조사하였다. H$_2$SO$_4$ 비율이 증가함에 따라 AAO 패턴의 주기가 감소하고, 정렬도가 향상됨을 관측하였다. 또한 양극산화 전압의 감소에 따라 패턴의 주기가 감소하여 고밀도패턴을 구현할 수 있었다. 이를 바탕으로 GaAs 기판 위에 37 nm 주기로 나노패턴이 형성된 SiO$_2$ 박막을 제작하였다.