본 논문에서는 질화 갈륨 기반 청색 고체 발광 다이오드가 외부 스트레스에 의해 광출력이 매우 심각하게 저하됨을 명백하게 증명하였다.우리는 전자와 홀의 파동함수 중첩이 스트레스 발달에 의해 현저하게 감소됨에 따라 내부 양자효율이 67.0%에서 37.5%로 감소한다는 것을 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 스트레스의 효과를 실험적으로 확인하기 위해 특수 지그 시스템을 설계하고 제작하였다.질화 갈륨 기반 청색 고체 발광 다이오드에서 발생된 압축응력을 상쇄시키기 위해 인장응력을 외부에서 적용함으로써 광 출력이 100mA 전류에서 83.1mcd에서 117.2mcd로 약 41% 향상된 것으로 나타났다. 반대로 외부에서 압축응력을 적용함에 따라 압축응력이 더 발달할 때 광출력이 89.0mcd에서 80.7mcd로 약 9.3% 감소하는 것을 관찰했다.