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2016
기판온도가 Nb2O5/SiO2 버퍼층위에 증착한 ITO 박막의 광학적 및 전기적 특성에 미치는 영향 Effect of Substrate Temperature on the Optical and Electrical Properties of ITO Thin Films deposited on Nb2O5/SiO2 Buffer Layer
한국정보통신학회
정양희, 강성준
논문정보
Publisher
한국정보통신학회논문지
Issue Date
2016-05-31
Keywords
-
Citation
-
Source
-
Journal Title
-
Volume
20
Number
5
Start Page
986
End Page
991
DOI
ISSN
22344772
Abstract
본 연구에서는 Nb2O5/SiO2 두개의 버퍼층위에 기판온도 (상온∼400℃) 에 따른 ITO 박막을 DC 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 기판온도가 상승함에 따라 그레인 크기 증가에 기인한 결정성 향상 때문에 비저항이 낮아지는 경향을 나타내었다. 기판온도 400℃ 에서 증착한 ITO 박막이 3.03×10-4Ω·cm 의 비저항과 86.6Ω/sq. 의 면저항으로 가장 우수한 값을 나타내었다. 광학적 특성을 측정한 결과, 기판온도가 상승함에 따라 가시광 영역 (400∼800nm) 에서의 평균 투과도는 증가하였으며 색도 (b*) 값은 감소하였다. 400℃ 에서 증착한 ITO 박막의 평균 투과도와 색도 (b*) 는 85.8% 와 2.13 으로 버퍼층이 삽입되지 않은 ITO 박막의 82.8% 와 4.56 에 비해 상당히 향상된 결과를 나타내었다. 이를 통해 Nb2O5/SiO2 두개의 버퍼층을 도입한 ITO 박막은 인덱스 매칭 효과로 인해 투과도 및 색도 (b*) 등의 광학적 특성이 현저히 향상되었음을 확인할 수 있었다.

저자 정보

이름 소속
정양희 전기컴퓨터공학부
강성준 전기컴퓨터공학부