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2010
기판온도 및 공정압력이 Al-doped ZnO 박막의 특성에 미치는 영향
Effect of Substrate temperatures and Working pressures on the properties of the Al-doped ZnO thin films
한국해양정보통신학회
강성준, 정양희
논문정보
- Publisher
- 한국해양정보통신학회논문지
- Issue Date
- 2010-03-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 14
- Number
- 3
- Start Page
- 691
- End Page
- 698
- DOI
- ISSN
- 12266981
Abstract
본 연구에서는 RF magnetron sputtering 법으로 AZO 세라믹 타겟 (Al2O3 : 3 wt%) 을 이용하여 Eagle 2000 유리 기판위에 기판온도 (100 ∼ 500 ℃) 와 공정압력 (10 ∼ 40 mTorr) 에 따른 AZO 박막을 제작하여, 결정화 특성과 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 모든 AZO 박막은 육방정계구조를 가지는 다결정 이었고, (002) 우선 배향성이 관찰되었다. 기판온도 300 ℃, 10 mTorr 에서 제작한 AZO 박막에서 가장 우수한 (002) 배향성을 나타냈으며, 이때의 반가폭 값은 0.42° 였다. 전기적 특성은 기판온도 300 ℃, 10 mTorr 에서 가장 낮은 비저항 2.64×10-3 Ωcm 과 우수한 캐리어 농도 및 이동도를 5.29×1020 cm-3, 6.23 cm2/Vs 를 나타내었다. 모든 AZO 박막은 가시광 영역에서 80 % 의 투과율을 나타내었으며, 기판온도 증가와 공정압력 감소에 따른 Al 도핑효과의 증가로 밴드 갭이 넓어지는 Burstein-Moss 효과가 관찰 되었다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국해양정보통신학회논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 강성준 | 전기컴퓨터공학부 |
| 정양희 | 전기컴퓨터공학부 |