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2007
Sol-gel 법으로 제작한 Al-doped ZnO 박막의 도핑 농도 및 열처리 온도에 따른 광학적 및 전기적 특성 Optical and Electrical Properties of Al-doped ZnO Thin Films Fabricated by Sol-gel Method with Various Al Doping Concentrations and Annealing Temperatures
대한전자공학회
강성준
논문정보
Publisher
전자공학회논문지 SD
Issue Date
2007-05-30
Keywords
-
Citation
-
Source
-
Journal Title
-
Volume
44
Number
5
Start Page
1
End Page
7
DOI
ISSN
12296368
Abstract
Sol-gel 법으로 quartz 기판 위에 Al 도핑 농도와 열처리 온도에 따른 AZO 박막을 제작하였다. 1 % Al 이 도핑되고 550 ℃ 에서 열처리한 ZnO 박막에서 가장 우수한 (002) 배향성과 가장 평탄한 박막 (1.084 nm) 이 제작되었다. 모든 박막은 가시광 영역에서 약 80 % 이상의 투과율을 보였으며, Al 농도가 증가할수록 에너지 밴드 갭이 넓어지는 Burstein-Moss 효과가 관찰되었다. Hall 측정 결과, 순수한 ZnO 박막보다 Al 이 도핑된 ZnO 박막에서 캐리어 농도의 증가와 비저항 값의 감소가 나타났다. 또, Al 의 도핑 농도가 증가함에 따라 segregation 효과로 인한 캐리어 농도의 감소와 비저항 값의 증가가 관찰되었다. 1 % Al 이 도핑되고 550 ℃ 에서 열처리한 ZnO 박막에서 가장 큰 캐리어 농도 (1.80×1019 cm-3) 와 가장 낮은 비저항 (0.84 Ωcm) 값을 나타내었다.

저자 정보

이름 소속
강성준 전기컴퓨터공학부