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2007
Sol-gel 법으로 제작한 Al-doped ZnO 박막의 도핑 농도 및 열처리 온도에 따른 광학적 및 전기적 특성
Optical and Electrical Properties of Al-doped ZnO Thin Films Fabricated by Sol-gel Method with Various Al Doping Concentrations and Annealing Temperatures
대한전자공학회
강성준
논문정보
- Publisher
- 전자공학회논문지 SD
- Issue Date
- 2007-05-30
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 44
- Number
- 5
- Start Page
- 1
- End Page
- 7
- DOI
- ISSN
- 12296368
Abstract
Sol-gel 법으로 quartz 기판 위에 Al 도핑 농도와 열처리 온도에 따른 AZO 박막을 제작하였다. 1 % Al 이 도핑되고 550 ℃ 에서 열처리한 ZnO 박막에서 가장 우수한 (002) 배향성과 가장 평탄한 박막 (1.084 nm) 이 제작되었다. 모든 박막은 가시광 영역에서 약 80 % 이상의 투과율을 보였으며, Al 농도가 증가할수록 에너지 밴드 갭이 넓어지는 Burstein-Moss 효과가 관찰되었다. Hall 측정 결과, 순수한 ZnO 박막보다 Al 이 도핑된 ZnO 박막에서 캐리어 농도의 증가와 비저항 값의 감소가 나타났다. 또, Al 의 도핑 농도가 증가함에 따라 segregation 효과로 인한 캐리어 농도의 감소와 비저항 값의 증가가 관찰되었다. 1 % Al 이 도핑되고 550 ℃ 에서 열처리한 ZnO 박막에서 가장 큰 캐리어 농도 (1.80×1019 cm-3) 와 가장 낮은 비저항 (0.84 Ωcm) 값을 나타내었다.
- 전남대학교
- KCI
- 전자공학회논문지 SD
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 강성준 | 전기컴퓨터공학부 |