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2022
STI의 Top Profile 개선 및 Gap-Fill HLD 두께 평가
한국전자통신학회
강성준, 정양희
논문정보
- Publisher
- 한국전자통신학회 논문지
- Issue Date
- 2022-12-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 17
- Number
- 06
- Start Page
- 1175
- End Page
- 1180
- DOI
- ISSN
- 19758170
Abstract
STI는 반도체 소자의 소형화 및 고집적화에 따른 광역 평탄화를 위한 공정 기술로써 많은 연구가 이루어져 왔다. 본 연구에서는 STI의 profile 개선을 위한 방법으로 STI 건식각 후 HF 용액에 의한 pad oxide 습식각과 O2+CF4 건식각을 제안하였다. 이 공정 기술은 기존의 방법보다 소자의 밀집도에 따른 패턴간의 프로파일 불균형과 누설전류의 개선을 나타내었다. 또한 동일한 STI 깊이와 HLD 증착를 갖는 디바이스에 대하여 CMP 후 HLD 두께를 측정한 결과 디바이스 밀도에 따라 측정값이 다르게 나타났고 이는 CMP 후 디바이스 밀도에 따른 질화막의 두께 차이 및 슬러리의 선택비에 기인됨을 확인하였다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국전자통신학회 논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 강성준 | 전기컴퓨터공학부 |
| 정양희 | 전기컴퓨터공학부 |