본 연구에서는 sapphire 기판위에 P (phosphorus) 도핑된 ZnO 박막을 제작한 후, 산소 분위기에서 후열 처리 온도가 박막 의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. XRD 측정 결과, 후열 처리 온도에 무관하게 모든 박막이 c축 배향성을 나타내었다. Hall 측정 결과, 850℃에서 후열 처리한 박막에서만 p형 전도 특성이 관찰되었다. 이때의 홀 캐리어 농 도와 홀 이동도는 각각 1.18×1016cm-3과 0.96cm2/Vs의 값을 나타내었다. 저온 PL 측정 결과, 850℃에서 후열 처리한 박막의 경우 p형 특성을 나타내는 상당량의 억셉터가 관련된 A0X (3.351eV), FA (3.283eV) 및 DAP (3.201eV) 피크가 관찰되었다. 향 후 P 도핑된 ZnO 박막의 공정 조건과 후열 처리 조건을 최적화 시킨다면, 차세대 광소자에 응용될 수 있는 매우 유망한 재료 로 주목받을 것으로 기대된다.