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2014
Decoupled Plasma Nitridation에 의한 Flicker 노이즈개선에 관한 연구
A study on Flicker Noise Improvement by Decoupled Plasma Nitridation
한국전자통신학회
정양희, 강성준
논문정보
- Publisher
- 한국전자통신학회 논문지
- Issue Date
- 2014-07-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 9
- Number
- 7
- Start Page
- 747
- End Page
- 752
- DOI
- ISSN
- 19758170
Abstract
본 논문은 0.13um 기술의 디자인을 10% 축소하는데 기존의 로직 디바이스만의 축소와는 달리 로직뿐 아니라 입, 출력 회로의 축소에 관한 것이다. 게이트 산화막(1.2V)을 decoupled plasma nitridation(DPN) oxide로 변경함으로써 flicker 노이즈를 축소 전 공정에 비해 1/3-1/5배 감소됨을 확인하였다. 또한, 축소에 의한 피할 수 없는 문제는 일반적인 metal insulator metal(MIM)의 캐패시터 문제이다. 이를 해결하기 위하여 20%높은 MIM 캐패시터(1.2fF/㎛2)를 개선하고 그 특성을 평가하였다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국전자통신학회 논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 정양희 | 전기컴퓨터공학부 |
| 강성준 | 전기컴퓨터공학부 |