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2015
비정질 규소막의 공정조건이 HSG-Si 형성에 미치는 영향
Influence of the process conditions for the amorphous silicon on the HSG-Si formation
한국전자통신학회
정양희, 강성준
논문정보
- Publisher
- 한국전자통신학회 논문지
- Issue Date
- 2015-11-30
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 10
- Number
- 11
- Start Page
- 1251
- End Page
- 1256
- DOI
- ISSN
- 19758170
Abstract
본 논문은 비정질 규소막 성장의 공정 조건이 저장 전극의 표면에 HSG-Si를 형성할 때 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 비정질 규소막의 인 농도가 5.5±0.1E19 atoms/㎤ 이상이면 HSG-Si가 제대로 형성되지 않는 인농도 의존성을 나타내었다. 또한 HSG 두께가 500Å 이상에서는 전극과 전극을 단락시키는 비트 불량을 유발하기 때문에 비정질 규소막의 인농도는 4.5E19 atoms/㎤, HSG 임계 두께는 450Å이 최적 조건임을 확인하였다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국전자통신학회 논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 정양희 | 전기컴퓨터공학부 |
| 강성준 | 전기컴퓨터공학부 |