본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 (RF magnetron sputtering)법으로 기판 온도 (50~200℃) 에 따른 GZO(Ga:5wt%) 박막을 PES (polyethersulfon) 플라스틱 기판 위에 제작하여, 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 공정 조건에 관계없이 모든 GZO 박막이 c 축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, 표면 거칠기 값은 기판 온도 200℃ 에서 제작한 박막에서 가장 낮은 값(0.196nm) 을 나타내었다. 투과도 측정 결과, GZO 박막은 약 80% 이상의 투과율을 보였고, 기판 온도가 증가할수록 에너지 밴드갭이 증가하는 Burstein-Moss 효과를 관찰할 수 있었다. Hall 측정 결과, 기판 온도 200℃에서 제작한 GZO 박막에서 가장 낮은 비저항 6.93×10-4Ω·cm 값과 가장 높은 캐리어 농도 7.04×1020/cm3 값을 나타내었다.