본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링법으로 기판온도 변화에 따른 GZO 박막을 투명 사파이어 기판위에 제작하여, 박막의 전기적?광학적 특성 및 결정화 특성을 조사하였다. 전기적 특성을 조사한 결과, 기판온도 300 ℃ 에서 가장 낮은 4.18 × 10-4 Ω㎝ 의 비저항을 나타내었고, 이때의 캐리어 농도는 6.77 × 1020 ㎝-3, 홀 이동도는 22 ㎝2/Vs 를 나타내었다. 또한 이 조건에서 가장 큰 c-축 배향성을 얻을 수 있었고, 그 때의 반가폭은 0.34° 이었다. AFM 표면형상에서도 기판온도 300 ℃ 에서 가장 우수한 결정성을 확인하였다. 모든 GZO 박막은 기판온도와 무관하게 가시광 영역에서 80% 정도의 투과율을 보였고, 광학적 밴드갭은 기판온도가 300 ℃ 까지 증가함에 따라 3.52 eV 로 증가하여 blue-shift 의 경향이 관찰되었으며, 벌크 ZnO 의 밴드갭인 3.3 eV 보다 높은 것을 확인하였다. 이는 기판온도 증가에 따른 캐리어 농도의 증가로 에너지 밴드갭이 확장된다는 Burstein-Moss 효과로 설명될 수 있다.