정보화와 통신화가 가속됨에 따라 더 많은 정보를 빠르게 처리하는 능력을 가진 비 휘발성 메모리의 개발이 필수가 되었으며, 현재 상용화 된 DRAM은 점점 소형화되며 높은 수율을 기대할 수 없고 휘발성이라는 문제점을 가지고 있다.. Resistance Random Access Memory(ReRAM)은 DRAM의 문제점을 해결하기 위한 차세대메모리로 유력한 소자로 바이어스 인가에 따른 저항차이에 의해 기록, 삭제하는 매체이다. 본 실험에서 우리는 ReRAM의 MIM구조 중 Insulator층을 다양한 종류의 Chalcogenide물질을 사용하여 resistive swiching 특성을 평가하였다. 상온에서 Glass기판에 Bottom electrode와 Top electrode는 각각 Ag와 ITO로 고정하고 Insulator층을 Ge2Sb2Te5,Ge8Sb2Te11을 사용하여 RF magnetron sputtering을 이용하여 박막을 제작하였다. 각 시편의 전기적 특성을 평가하기 위해 I-V-L measurement system을 이용하여 Vset, Vreset과 각 On/Off상태에서의 resistance를 측정하였다. 결론적으로 Ge2Sb2Te5이 소자화 하기 적합한 전기적 특성 및 안정성이 우수함을 확인할 수 있었다.