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2009
각분해 광전자 분광학을 이용한 1T-CuxTiSe2의 전자구조 연구
Electronic Structure Study of Cu Doped 1T-TiSe2 by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
한국물리학회
노한진
논문정보
- Publisher
- 새물리
- Issue Date
- 2009-08-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 59
- Number
- 2
- Start Page
- 187
- End Page
- 190
- DOI
- ISSN
- 03744914
Abstract
구리가 도핑된 1T-CuxTiSe2에서 구리 원자의 역할을 밝혀내기 위해 구리의 농도를 여러 범위로 바꾸어 TiSe2단결정을 제조하였고, 각분해 광전자 분광법(ARPES)을 사용하여 그 전자구조의 변화를 연구하였다. ARPES 측정 결과 순수한 TiSe2는 200 K 근방에서 전하밀도파에 의하여 상전이 함이 밝혀졌다. 구리가 도핑이 될수록, L 점 주변에 전자 주머니가 나타났고 상전이와 관련된 봉우리는 점점 희미하게 사라졌다. 이 관찰 결과는 삽입된 구리 원자가 전자를 공급하고, 이것에 의해 증가된 금속성이 전하밀도파 상전이를 억제하는 것으로 이해할 수 있다.
- 전남대학교
- KCI
- 새물리
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 노한진 | 물리학과 |