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2014
N-GaN 접촉 전극의 크기 및 배열 변화에 따른 패드리스 수직형발광다이오드의 구동전압의 변화에 관한 연구
The Effects of Size and Array of N-GaN Contacts on Operation Voltage of Padless Vertical Light Emitting Diode
한국마이크로전자및패키징학회
하준석
논문정보
- Publisher
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- Issue Date
- 2014-03-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 21
- Number
- 1
- Start Page
- 19
- End Page
- 23
- DOI
- ISSN
- 12269360
Abstract
LED (Light Emitting Diode) 시장의 발전이 빠르게 이루어지고 있음에 따라 점차 고효율 LED의 필요성이 증가하고 있다. 이에 우리는 Hole Type의 Padless 신 구조 수직형 LED에서, 접촉 전극의 크기와 그 배치가 Chip의 가동 전압에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 이를 위하여 LED simulation을 통한 계산과 실제 Chip 제작을 통한 전기적 특성 평가를 하였다. 그 결과, Simulation 을 통하여 n전극의 크기가 커질수록 구동전압이 낮아짐을 확인하였고, N 전극의형태가 확산됨에 따라서도 구동전압이 낮아짐을 확인하였다. 이러한 추세는 실제 제작한 LED Chip의 측정 결과와 비슷한 경향을 나타내었다.
- 전남대학교
- KCI
- 마이크로전자 및 패키징학회지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 하준석 | 화학공학부 |