열처리 공정으로 제조한 In2Se3 박막의 구조 및 광학적 물성을 조사하여 보고한다. 기판위에 스퍼터링 방법으로 인듐(In: indium)을 증착하고 셀레늄 분위기에서 열처리 온도를 변화시키며 In-Se 박막을 제조하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 In2Se3 박막의 형성과 상의 변화를 관찰 할 수 있었다. 낮은 열처리 온도(≤150oC)에서는 In의 뭉침 현상을 관찰할 수 있었고 열처리 온도가 250oC 부터 In2Se3 박막이 형성되며 350oC 에서 γ-In2Se3 상이 형성됨을 알 수 있었다. 열처리 온도가 400oC 로 증가면 wurtzite 구조의 고품질 γ-In2Se3 박막을 얻을 수 있었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 In2Se3 박막의 밴드갭이 증가함을 알 수 있었고, 열처리 온도 400oC에서 제조된 γ-In2Se3 결정질 박막의 밴드갭이 1.796eV임을 알았다.