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2014
PLD 기법으로 성장된 n형 TiO2에서 Nb 도너의 활성화 에너지
The activation Energy of the Niobium donor in n-type TiO2 film grown by Pulsed Laser Deposition
한국마이크로전자및패키징학회
하준석
논문정보
- Publisher
- 마이크로전자 및 패키징학회지
- Issue Date
- 2014-12-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 21
- Number
- 4
- Start Page
- 41
- End Page
- 44
- DOI
- ISSN
- 12269360
Abstract
본 연구에서는 TiO2에 나이오븀 (Nb) 도펀트가 주입되었을 때의 활성화 에너지를 홀 효과 측정 시스템과 온
도에 따른 photoluminescence (PL) 실험을 통하여 살펴보았다. Nb 이 도핑 된 n형 아나타제 TiO2 박막은 pulsed laser
deposition (PLD) 기법으로 SrTiO3기판에 성장되었다. 측정 결과, Nb 도너의 활성화 에너지 값은 홀 효과 측정에서는
14.52 meV, PL 측정에서는 6.72 meV로 다소 차이를 보였다. 이 결과는 기존의 어셉터 물질의 활성화 에너지들과는 차이
를 나타내고 있으며, 향후 본 연구와 같은 shallow 도너 준위의 활성화 에너지 연구에 대한 더 많은 연구가 필요할 것으
로 판단된다.
- 전남대학교
- KCI
- 마이크로전자 및 패키징학회지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 하준석 | 화학공학부 |