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2018
온도 및 조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 GaAs1-X NX의 에너지 밴드갭과 광학상수 계산
The Calculation of the Energy Band Gaps and Optical constants of Zincblende GaAs1-X NX on Temperature and Composition
한국전자통신학회
김대익 외 1명
논문정보
- Publisher
- 한국전자통신학회 논문지
- Issue Date
- 2018-12-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 13
- Number
- 6
- Start Page
- 1213
- End Page
- 1222
- DOI
- ISSN
- 19758170
Abstract
본 연구에서는 무질서 효과가 고려된, 새로이 가정한 가상 결정 근사법을 갖는 empirical pseudopotential
method를 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 3원계 질화물계 화합물 반도체 GaAs1-X NX의 휨 매개변수
및 에너지 밴드갭을 계산하였다. 300K의 조성비 구간(0≤x≤0.05)에서 에너지 밴드갭들이 급격히 감소하며, 해
당하는 계산된 휨 매개변수가 15eV임을 알 수 있었다. 에너지 밴드갭 계산 결과로부터 굴절률 n과 고주파 유
전상수 ε 등의 광학상수를 계산하였고, 에너지 밴드갭 계산 결과는 실험치를 대체로 잘 설명하였다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국전자통신학회 논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 김대익 | 전자통신공학과 |