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2019
조성비 변화에 따른 질화물계 화합물 반도체 InyGa1-yAs1-xNx 의 에너지 밴드갭과 광학상수 계산
The Calculation of the Energy Band Gaps and Optical constants of Zincblende InyGa1-yAs1-xNx on Composition
한국전자통신학회
김대익 외 1명
논문정보
- Publisher
- 한국전자통신학회 논문지
- Issue Date
- 2019-10-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 14
- Number
- 05
- Start Page
- 877
- End Page
- 886
- DOI
- ISSN
- 19758170
Abstract
본 연구에서는 band anticrossing 모델을 사용하여 온도와 조성비 변화에 따른 4원계 질화물계 화합물 반도체 InyGa1-yAs1-xNx의 에너지 밴드갭과 광학상수를 계산하였다. 300K의 조성비 구간(0≤x≤0.05, 0≤y≤1.0)에서 에너지 밴드갭들이 연속적으로 감소하며, 계산된 휨 매개변수는 0.522eV가 사용되었다. 에너지 밴드갭 계산 결과는 다른 연구 결과와 대체로 잘 일치하였다. 또한 에너지 밴드갭 결과를 새롭게 제안한 모델식에 적용하여 굴절률 n과 고주파 유전상수 ε를 계산하였다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국전자통신학회 논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 김대익 | 전자통신공학과 |