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2014
I/O 트랜지스터의 핫 캐리어 주입 개선에 관한 연구
A study on the Hot Carrier Injection Improvement of I/O Transistor
한국전자통신학회
정양희, 강성준
논문정보
- Publisher
- 한국전자통신학회 논문지
- Issue Date
- 2014-08-29
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 9
- Number
- 8
- Start Page
- 847
- End Page
- 852
- DOI
- ISSN
- 19758170
Abstract
반도체 소자 제조에서 비용 절감을 위한 공정기술의 스케일링 가속화 경향에 따라 축소기술에 대한 요구가증가되고 있다. 축소에 따른 또 다른 가장 큰 문제점의 하나는 Hot Carrier Injection (HCI) 특성의 열화이다.
이는 축소 과정에서 생기는 불가피한 가장 큰 이슈중의 하나이며, 특히 입출력 소자에 있어 극복하기 어려운부분이다. 이의 개선을 위해 유효 채널 길이를 늘이고자 LDD 임플란트 공정 이전에 산화막이 추가되었고, 또한 I/O LDD 임플란트 공정의 이온 입사 각도를 최적화함으로써, LDD 영역에서 E-field 열화 없이 HCI 규격을 만족할 수 있었다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국전자통신학회 논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 정양희 | 전기컴퓨터공학부 |
| 강성준 | 전기컴퓨터공학부 |