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2021
DRAM 커패시터의 질화막 내산화성 평가에 관한 연구
A Study on the Evaluation of Oxidation Resistance of Nitride Films in DRAM Capacitors
한국전자통신학회
정윤근, 정양희, 강성준
논문정보
- Publisher
- 한국전자통신학회 논문지
- Issue Date
- 2021-06-30
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 16
- Number
- 03
- Start Page
- 451
- End Page
- 456
- DOI
- ISSN
- 19758170
Abstract
반도체 메모리 소자의 커패시터에서 셀 커패시턴스의 향상과 scale down을 위해 유전막으로써 적층형 ONO 구조가 도입되었고 이들의 박막화가 지속적으로 시도되고 있으나 공정 처리 과정에서 많은 문제들이 대두되고 있다. 본 연구에서는 L/L LPCVD를 사용하여 약 10Å의 자연산화막 성장을 억제함으로써 3fF/cell의 정전 용량을 확보할 수 있었다. 또한 유전막의 박막화에 따른 질화막의 이상산화에 미치는 영향을 고찰함으로써 내산화성을 확보할 수 있는 유전막 형성의 안정적인 공정 관리 방법을 제안하였다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국전자통신학회 논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 정윤근 | 기계설계공학과 |
| 정양희 | 전기컴퓨터공학부 |
| 강성준 | 전기컴퓨터공학부 |