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2016
산화막의 질화조건에 따른 트랩 파라미터에 관한 연구
Study on the Trap Parameters according to the Nitridation Conditions of the Oxide Films
한국전자통신학회
정양희, 강성준
논문정보
- Publisher
- 한국전자통신학회 논문지
- Issue Date
- 2016-05-31
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 11
- Number
- 05
- Start Page
- 473
- End Page
- 478
- DOI
- ISSN
- 19758170
Abstract
본 논문은 RTP법으로 산화막을 질화시킨 질화산화막으로 MIS 캐패시터를 제작하여 avalanche 주입에 따른 캐리어 트랩 특성을 조사하였다. avalanche 주입에 의한 flatband 전압 변화는 두 번의 turn-around가 관찰되었는데 이는 처음 산화막에서 전자 트래핑이 있어나고, 전하 주입에 따라 홀 트래핑에 의한 turn-around 후 다시 전자 트래핑이 일어나는 것을 관찰하였다. 질화 산화막의 캐리어 트랩 파라미터를 결정하기 위하여 실험 결과를 기초로 종류가 다른 여러 트랩을 갖는 계에 대한 캐리어 트래핑을 비교한 결과 실험값과 일치함을 확인하였다.
- 전남대학교
- KCI
- 한국전자통신학회 논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 정양희 | 전기컴퓨터공학부 |
| 강성준 | 전기컴퓨터공학부 |