본 연구에서는 field-dependent polarization 모델과 square-law FET 모델을 이용하여 Metal- ferroelecric- semiconductor FET (MFSFET) 소자의 특성을 연구하였다. 게이트 전압에 따른 드레인 전류특성에서 강유전체 박막의 항전압이 0.5 와 1V 일 때, 각각 1 와 2V 의 메모리 창 (memory window) 을 나타내었다. 드레인 전류-드레인 전압 곡선에서 두 부분의 문턱전압에 의해 나타난 포화 드레인 전류차이는 게이트 전압이 0, 0.1, 0.2, 0.3V 일 때, 각각 1.5, 2.7, 4.0, 5.7mA 로 명확한 차이를 나타내었다. PLZT(10/30/70), PLT(10), PZT(30/70) 박막의 이력곡선 시뮬레이션과 리텐션 특성의 fitting 결과를 바탕으로 시간경과 후의 드레인 전류를 분석한 결과, PLZT(10/30/70) 박막이 10년 후에도 약 18% 의 포화 전류가 감소하는 가장 우수한 신뢰성을 나타내었다.