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2010
기판온도 및 공정압력이 Al-doped ZnO 박막의 특성에 미치는 영향 Effect of Substrate temperatures and Working pressures on the properties of the Al-doped ZnO thin films
한국해양정보통신학회
강성준, 정양희
논문정보
Publisher
한국해양정보통신학회논문지
Issue Date
2010-03-31
Keywords
-
Citation
-
Source
-
Journal Title
-
Volume
14
Number
3
Start Page
691
End Page
698
DOI
ISSN
12266981
Abstract
본 연구에서는 RF magnetron sputtering 법으로 AZO 세라믹 타겟 (Al2O3 : 3 wt%) 을 이용하여 Eagle 2000 유리 기판위에 기판온도 (100 ∼ 500 ℃) 와 공정압력 (10 ∼ 40 mTorr) 에 따른 AZO 박막을 제작하여, 결정화 특성과 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 모든 AZO 박막은 육방정계구조를 가지는 다결정 이었고, (002) 우선 배향성이 관찰되었다. 기판온도 300 ℃, 10 mTorr 에서 제작한 AZO 박막에서 가장 우수한 (002) 배향성을 나타냈으며, 이때의 반가폭 값은 0.42° 였다. 전기적 특성은 기판온도 300 ℃, 10 mTorr 에서 가장 낮은 비저항 2.64×10-3 Ωcm 과 우수한 캐리어 농도 및 이동도를 5.29×1020 cm-3, 6.23 cm2/Vs 를 나타내었다. 모든 AZO 박막은 가시광 영역에서 80 % 의 투과율을 나타내었으며, 기판온도 증가와 공정압력 감소에 따른 Al 도핑효과의 증가로 밴드 갭이 넓어지는 Burstein-Moss 효과가 관찰 되었다.

저자 정보

이름 소속
강성준 전기컴퓨터공학부
정양희 전기컴퓨터공학부