은 박막으로 이루어진 두께 50 nm, 홀(hole) 피치(pitch) 5.5 m, 홀 크기가 3 m로 구성된 적외선플라즈모닉스(plasmonics) 소자를 제작하였다. 고속 열처리기(rapid thermal processor)를 이용하여 400 ?C 열처리 후, XRD를 이용한 분석결과 산화은(AgO2)이 형성된 것을 확인 하였다. 열처리 후 플라즈모닉스 소자의 최대 투과도는 일부 감소하였으나, 투과도의 최대 피크 파장이 17 m에서 17.4 m로 변화가관측 되었다. 또한 반치전폭(full width at half maximum)의 크기가 2 m에서 5.4 m로 증가하였으며, 피크(peak) 파장 영역을 제외한 전체적 스펙트럼 투과도는 약 2 배 증대 되었다. 이는 열처리로 인하여AgO2 의 형성으로 플라즈모닉스 소자 표면의 굴절률 변화에 따라 발생한 효과로 여겨진다. 따라서 이와같은 열처리 방법을 이용하면, 이미 제작된 플라즈모닉스 소자의 투과 파장 대역을 쉽게 조정할 수 있을것으로 예상된다.