본 논문은 TCAD 시뮬레이션을 통해 고정 전하 트랩(Fixed Charge Trap)과 억셉터 트랩(Acceptor Trap)이 BCAT(BuriedChannel Array Transistor) 누설전류에 미치는 영향을 분석한다. 누설전류 메커니즘을 WL과 SN 전압차에 의한 GlobalBand-to-Band Tunneling(BTBT), 트랩에 의한 Local Band-to-Band Tunneling 그리고 억셉터 트랩에 의한 SingleTrap-Assisted Tunneling으로 구분하여 각 트랩의 기여도를 계산하였다. BCAT의 GIDL 영역과 채널 영역 모두에서 고정 전하트랩의 누설전류 증가량과 기여도가 억셉터 트랩에 비해 크다는 사실을 확인하였다. 이를 통해, 본 논문은 BCAT의 고정 전하 트랩에 의한 신뢰성 연구의 필요성을 시사한다.