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2023
부분분리 매립 채널 어레이 트랜지스터의 총 이온화 선량영향에 따른 특성 해석 시뮬레이션
한국전기전자학회
이명진 외 1명
논문정보
- Publisher
- 전기전자학회논문지
- Issue Date
- 2023-09-30
- Keywords
- -
- Citation
- -
- Source
- -
- Journal Title
- -
- Volume
- 27
- Number
- 3
- Start Page
- 303
- End Page
- 307
- DOI
- ISSN
- 12267244
Abstract
본 논문은 Buried Channel Array Transistor(BCAT) 소자의 Oxide 내부에 Total Ionizing Dose(TID) effects으로 인한Electron-Hole Pair의 생성이 유도되어, Oxide 계면의 Hole Trap Charge의 증가에 따른 누설전류의 증가와 문턱 전압의 변화를 기존에 제안한 Partial Isolation Buried Channel Array Transistor(Pi-BCAT)구조와 비교 시뮬레이션 하여, Pi-BCAT 소자의 증가한 Oxide 면적과 상관없이 변화한 누설전류와 문턱 전압에서의 특성이 비대칭 도핑 BCAT 구조보다 우수함을 보여 준다.
- 전남대학교
- KCI
- 전기전자학회논문지
저자 정보
| 이름 | 소속 |
|---|---|
| 이명진 | 지능전자컴퓨터공학과 |