본 논문에서는 동 문턱압 MOSFET를 사용한 새로운 셀 캐스코드 구조의 설계방식을 제안한다. 제안한 셀 캐스코드는 압 력 소비를 하여 공압이 500mV인 약반 역에서 동작하며 이 구조는 기존의 구조들에 비하여 칩 면이 매우 작고 DC 바이어스 압이 요구되지 않는다. 한 동 문턱압 MOSFET의 특성에 의하여 트랜스컨덕턴스 (출력항)는 단일 MOSFET 기존의 셀 캐스코드에 비하여 각각 45%(163%), 24%(80%) 이상 증가한다. 본 논문에서 제안한 설계방식의 타당성을 검증하기 하여, 기존 제안한 셀 캐스코드들에 의하여 류미러를 설계하다. 모의실험은 Cadence 툴에 의하여 TSMC 0.18 ㎛ CMOS 공정을 사용하여 수행되었다. 모의실험 결과, 본 논문에서 제안한 방식으로 설계한 류미러의 출력 압 에 한 출력류의 변동률이 20배 이상 향상되었다.