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2014
3G, 4G LTE 환경에 적합한 0.11μm CMOS 저전력, 광대역의 저잡음증폭기 설계 0.11μm CMOS Low Power Broadband LNA design for 3G/4G LTE Environment
한국전자통신학회
논문정보
Publisher
한국전자통신학회 논문지
Issue Date
2014-09-30
Keywords
-
Citation
-
Source
-
Journal Title
-
Volume
9
Number
9
Start Page
1027
End Page
1034
DOI
ISSN
19758170
Abstract
3G부터 4G LTE까지의 전체 대역에 적용이 가능한 저전력, 광대역 저잡음증폭기를 설계하였다. 설계한 광대역 다중입력 저잡음증폭기는 기존의 3G인 CDMA의 대역인 1.2GHz대역과 LTE대역인 2.5GHz대역까지 넓은주파수 대역을 안정적으로 증폭이 가능하고, 다중입력방식을 통해 입력신호의 크기에 관계없이 안정적인 증폭이 가능하도록 설계하였다. 설계된 저잡음증폭기는 1.2V의 공급전압에서 약 0.6mA의 전류를 소모하고, 이는Cadence사의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 낮은 입력신호에 대응한 증폭은 최대 20dB이고, 신호에따라 최저 -10dB의 이득값을 얻을 수 있었다. 잡음특성(NF : Noise Figure)은 High Gain모드에서 15dB이하,Low Gain 모드에서 3dB이하를 가진다.

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